IRLML0030TRPBF
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 30 V 5.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23
物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 27 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 382 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.3W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |